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STGP19NC60WD中文资料

STGP19NC60WD图片

STGP19NC60WD外观图

  • 大小:311KB
  • 厂家:STMicroelectronics
  • 描述: IGBT, N 600V 19A TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:22A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:125W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:35A; Power, Pd:125W; Time, Rise:7ns
  • 其它有关文件:STGP19NC60WD View All Specifications
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:PowerMESH™
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):2.5V @ 15V,12A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):40A
  • 功率 - 最大:125W
  • 输入类型:标准型
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:497-6027-5

STGP19NC60WD供应商

更新时间:2023-02-03 16:44:06
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